DRAM存储芯片的制造工艺流程包括以下主要步骤：

晶圆制备：将硅片进行切割、抛光，使其具备光滑平整的表面。

制备栅极：在晶圆表面上沉积一层极薄的绝缘体，并在其上涂覆一层金属膜，用于制造电容器的栅极。

电容器制造：将两个栅极分别用金属线连接，形成电容器的正、负极，从而形成一个电容单元。

线路制造：在晶圆表面上沉积一层导体材料，并用光刻技术和化学蚀刻技术进行线路形成。

测试和封装：将晶圆切割成单个芯片，并在芯片上安装引脚。

最后进行芯片测试、封装，即可生产出可用的DRAM存储芯片。

整个制造过程需要高精度、高技术含量的设备和技术，其中光刻技术、化学蚀刻技术、CVD等技术的应用，对于制造高质量的DRAM存储芯片至关重要。